Мощнейшее сердце мобильника

Процессор Samsung Exynos 5 Octa

19.03.2013
21:51

Компания Samsung Electronics объявляет о начале серийного производства новейшего мобильного процессора Exynos 5 Octa  во втором квартале 2013 года. Exynos 5 Octa имеет уникальную на данный момент восьмиядерную конфигурацию, построенную в соответствии с принципами архитектуры ARM big.LITTLE. Процессор построен на основе Cortex-A15 – технологии, предназначенной для эффективной работы с мультизадачностью в самых высокопроизводительных устройствах.

Представленный на выставке CES 2013, Exynos 5 Octa является первым в мире процессором, построенным в соответствии с принципами архитектуры big.LITTLE. В конфигурацию восьмиядерного процессора Samsung входит четыре ядра Cortex-A15 для решения задач, требующих высокой производительности, и четыре ядра Cortex-A7  для работы с базовыми задачами, требующими меньшей производительности. Данное решение позволяет на 70% снизить энергозатраты по сравнению с процессорами, в которых используются только ядра Cortex-A15.

Новый процессор Samsung Exynos выпускается с использованием 28-нанометровой технологии HKMG (High-k Metal Gate), отличающейся низким энергопотреблением за счет минимизации статического рассеивания мощности.

По графической производительности Samsung Exynos 5 Octa более чем вдвое превосходит Exynos 4 Quad.

В соответствии с новым тенденциями к увеличению разрешения дисплеев в мобильных устройствах, новый процессор Samsung Exynos 5 Octa отличается поддержкой экранов разрешением до 2560 x 1600 пикселей (WQXGA).

Впервые реализованная в мобильных процессорах поддержка e-MMC 5.0 и USB 3.0 обеспечит устройствам, оснащенным новым процессором Exynos 5 Octa, высокую скорость передачи данных.

В конфигурацию Samsung Exynos 5 Octa входит аппаратный кодек видео высокой четкости, который позволяет работать с видео в формате Full HD 1080p с кадровой частотой 60 кадров в секунду. Кроме того, в новом процессоре предусмотрен интерфейс для подключения камер разрешением до 13 Мпикс и интерфейс с пропускной способностью 12,8 Гб/с для работы с чипами памяти.