Полезный ультрафиолет

Первая полномасштабная микросхема AMD демонстрирует возможность интеграции EUV-литографии

27.02.2008
16:45

Компания AMD совместно с IBM объявила об изготовлении «полномасштабного» пробного рабочего образца микросхемы, в которой первый слой металлических соединений создан с помощью EUV-литографии (литографии с использованием жесткого ультрафиолетового излучения). Предыдущие образцы, полученные с помощью EUV-литографии, не были «полномасштабными», поскольку при их производстве EUV-литография была задействована лишь для малой части микросхемы. Результаты совместной работы AMD, IBM и их партнеров из UAlbany NanoCollege’s Albany NanoTech Complex были представлены доктором Бруно Ла Фонтеном (Bruno La Fontaine) из AMD на первой в отрасли конференции по литографии, которая состоялась 26 февраля. Он рассказал об успешной «полномасштабной» интеграции EUV-литографии в производственный процесс пробного образца микросхемы AMD размерами 22х33 мм, изготовленной с помощью 45-нм технологии.

Литография позволяет переносить на множество слоев кремниевой подложки высокосложные микросхемы с миллионами транзисторов. В то время как проектировщики микросхем продолжают добавлять новые функции и повышать производительность своей продукции, сокращение размеров транзисторов позволяет умещать все большее их количество в пределах заданной области. То, насколько миниатюрными могут быть транзисторы и их соединения, напрямую зависит от длины волны света, используемого для переноса схемы на подложку. В EUV-литографии используется длина волны 13,5 нм, которая значительно короче применяемой сегодня в литографии длины волны 193 нм. Это позволяет и дальше уменьшать размеры микросхем.

Сначала пробная микросхема AMD прошла обработку на фабрике AMD Fab 36 в Дрездене (Германия), где используется 193-нм иммерсионная литография, являющаяся сегодня самым передовым литографическим инструментом в крупномасштабном производстве. Затем подложка с пробной микросхемой была передана в исследовательский центр IBM, находящийся в университете College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) в Олбани (штат Нью-Йорк), где использовали сканер EUV-литографии компании ASML. С помощью этого сканера был перенесен первый слой металлических соединений между транзисторами. После переноса, травления, осаждения и прочих технологических этапов, структура, полученная с помощью EUV-литографии, прошла электрическое тестирование в AMD. Она показала характеристики, прекрасно согласующиеся с характеристиками пробной микросхемы, изготовленной с использованием только 193-нм иммерсионной литографии. На пробные подложки будут нанесены дополнительные слои внутренних соединений с помощью стандартной фабричной обработки, что позволит также протестировать крупные массивы памяти.

Следующим шагом проверки применимости EUV-литографии в производстве станет ее использование не только для металлических межсоединений, но и для всех слоев микросхемы. Это покажет, что весь рабочий микропроцессор может быть изготовлен с помощью EUV-литографии, которая должна быть полностью проверена и допущена к производству до 2016 года, на который запланировано введение 22-нм технологического процесса в рамках проекта International Technology Roadmap for Semiconductors.

Источник: AMD